LCR電橋測(cè)量基礎(chǔ)知識(shí)
LCR電橋測(cè)量基礎(chǔ)知識(shí)
LCR電橋是精密測(cè)量電阻或其他模擬量的一種有效的方法。本文介紹了如何實(shí)現(xiàn)具有較大信號(hào)輸出的硅應(yīng)變計(jì)與模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的接口，特別是Σ-Δ ADC，當(dāng)使用硅應(yīng)變計(jì)時(shí)，它是一種實(shí)現(xiàn)壓力變送器的低成本方案
硅應(yīng)變計(jì)
1硅應(yīng)變計(jì)的優(yōu)點(diǎn)在于高靈敏度，它通過(guò)感應(yīng)由應(yīng)力引發(fā)的硅材料體電阻變化來(lái)檢測(cè)壓力。相比于金屬箔或粘貼絲式應(yīng)變計(jì)，其輸出通常要大一個(gè)數(shù)量級(jí)。這種 硅應(yīng)變計(jì)的輸出信號(hào)較大，可以與較廉價(jià)的電子器件配套使用。但是，這些小而脆器件的安裝和連線非常困難，因而增加了成本，限制了它們?cè)谡迟N式應(yīng)變計(jì)應(yīng)用中 的使用。
2不過(guò)，用MEMS工藝制作的硅壓力傳感器卻克服了這些弊病。這種MEMS壓力傳感器采用了標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體工藝和特殊的蝕刻技術(shù)。這種特殊的蝕刻技術(shù)可 選擇性地從晶圓的背面除去一部分硅，從而生成由堅(jiān)固的硅邊框包圍的、數(shù)以百計(jì)的方形薄膜。而在晶圓的正面，每一個(gè)小薄膜的每個(gè)邊上都植入了一個(gè)壓敏電阻， 用金屬線把小薄片周邊的四個(gè)電阻連接起來(lái)就形成一個(gè)惠斯登電橋。*后，使用鉆石鋸從晶圓上鋸下各個(gè)傳感器。這時(shí)，硅傳感器已經(jīng)初具形態(tài)，但還需要配備壓力 端口和連接引線方可使用。這些小傳感器便宜而且相對(duì)可靠，但受溫度變化影響較大，而且初始偏移和靈敏度的偏差很大。
LCR電橋測(cè)量基礎(chǔ)知識(shí)
壓力傳感器實(shí)例
1在此給出一個(gè)壓力傳感器的實(shí)例,其所涉及的原理適用于任何使用類(lèi)似電橋的傳感器。公式1給出了一個(gè)原始的壓力傳感器的輸出模型。其中，VOUT在給定壓力P下具有很寬的變化范圍，不同傳感器在同一溫度下，或者同一傳感器在不同溫度下，其VOUT都 有所不同。因此要提供一個(gè)一致的、有意義的輸出，每個(gè)傳感器都必須進(jìn)行校正，以補(bǔ)償器件之間的差異和溫度漂移。長(zhǎng)期以來(lái)，校準(zhǔn)都是通過(guò)模擬電路進(jìn)行的。然 而，現(xiàn)代電子學(xué)的進(jìn)展使得數(shù)字校準(zhǔn)比模擬校準(zhǔn)更具成本效益，而且其準(zhǔn)確性也更好。此外，利用一些模擬技術(shù)“竅門(mén)”，可以在不犧牲精度的前提下簡(jiǎn)化數(shù)字校準(zhǔn)。
VOUT=VB(PS0(1+S1(T-T0))+U0+U1(T-T0)) （1）
2.、式中，VOUT為電橋輸出，VB是電橋的激勵(lì)電壓，P是外加壓力，T0是參考溫度，S0是T0溫度下的靈敏度，S1是靈敏度的溫度系數(shù)(TCS)，U0是在無(wú)壓力情況下電橋在溫度T0時(shí)的輸出偏移量(或失衡)，而U1則是偏移量的溫度系數(shù)(OTC)。公式(1)使用一次多項(xiàng)公式來(lái)對(duì)傳感器進(jìn)行建模，而有些應(yīng)用場(chǎng)合可能會(huì)用到高次多項(xiàng)公式、分段線性技術(shù)或者分段二次逼近模型，并為其中的系數(shù)建立一個(gè)查尋表。無(wú)論使用哪種模型，數(shù)字校準(zhǔn)時(shí)都要對(duì)VOUT、VB和T進(jìn)行數(shù)字化，同時(shí)要采用某種方公式來(lái)確定全部系數(shù)并進(jìn)行必要的計(jì)算。公式(2)由公式(1)變化所得，從中可清楚地看到，通過(guò)數(shù)字計(jì)算(通常由微控制器(MCU)執(zhí)行)而輸出**壓力值所需的信息。
P=(VOUT/VB-U0-U1(T-T0))/(S0(1+S1(T-T0)) (2)
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電壓驅(qū)動(dòng)
圖1 該電路直接測(cè)量計(jì)算實(shí)際壓力所需的變量(激勵(lì)電壓、溫度和電橋輸出)
在圖1所示的電路中，一個(gè)高精度ADC先對(duì)VOUT (AIN1/AIN2)、溫度(AIN3/AIN4)和VB (AIN5/AIN6)進(jìn)行數(shù)字化，這些測(cè)量值隨后被傳送到MCU，在那里轉(zhuǎn)換成實(shí)際的壓力。電橋直接由電源驅(qū)動(dòng)，電源同時(shí)也為ADC、電壓基準(zhǔn)源和MCU供電。電阻公式溫度檢測(cè)器Rt用來(lái)測(cè)量溫度，ADC內(nèi)的輸入復(fù)用器同時(shí)測(cè)量電橋、RTD和電源電壓。為確定校準(zhǔn)系數(shù)，整個(gè)系統(tǒng)(或至少是RTD和電橋)被放到恒溫箱里，在多個(gè)不同溫度下進(jìn)行測(cè)量。測(cè)量數(shù)據(jù)通過(guò)測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行處理，以確定校準(zhǔn)系數(shù)，*終的系數(shù)被下載到MCU并存儲(chǔ)到非易失性存儲(chǔ)器中。
設(shè)計(jì)該電路時(shí)主要考慮的是動(dòng)態(tài)范圍和ADC的分辨率，*低要求取決于具體應(yīng)用和所選的傳感器和RTD的參數(shù)。 在本例中，傳感器的具體參數(shù)如下。
系統(tǒng)規(guī)格
滿量程壓力：100psi
壓力分辨率：0.05psi
溫度范圍：-40～+85℃
電源電壓：4.75～5.25V
壓力傳感器規(guī)格
S0 (靈敏度): 150～300μV/V/psi
S1(靈敏度的溫度系數(shù)): *大為-2500×10-6/℃
U0 (偏移): -3～+3mV/V
U1 (偏移的溫度系數(shù)): -15～+15μV/V/℃
RB (輸入電阻): 4.5kΩ
TCR (電阻溫度系數(shù)): 1200×10-6/℃
RTD: PT100
o α: 3850×10-6/℃
o -40℃時(shí)的阻值: 84.27Ω
o 0℃時(shí)阻值: 100Ω
o 85℃時(shí)阻值: 132.80Ω
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